国家/地区 中国（1676） 美国（251） 韩国（220） 世界知识产权组织（192） 日本（79） 欧洲专利局（EPO）（59） 台湾（34） 德国（16） 加拿大（12） 澳大利亚（9） 巴西（7） 印度（7） 香港（4） 墨西哥（4） 英国（3） 波兰（3） 俄罗斯（3） 越南（3） 西班牙（2） 印度尼西亚（2）
IPC部 H（2065） C（536） B（333）
G（111） D（10） A（9）
F（7） E（2）
IPC大类 H01（2065）
IPC小类 H01M（871） H01L（516） H01G（417）
C01B（321） H01B（272） B82Y（213）
C08K（77） C08L（74） B01J（67）
C23C（66） C01G（37） H01Q（33）
C08J（29） C09D（29） C22C（25）
IPC H01M004/36（397） H01M010/0525（392） H01M004/62（344）
H01G011/86（261） B82Y030/00（191） H01G011/36（190）
H01M004/583（189） C01B031/04（171） H01M004/58（139）
H01M004/587（125） H01G011/32（122） H01G011/30（120）
H01M004/38（115） H01L029/16（105） H01G011/24（102）
发明人 WANG Y（73） ZHANG Y（70） XIAO L（69）
ZHONG L（69） LI Y（61） LI J（60）
LIU Y（54） WANG X（52） ZHANG J（51）
LI Z（49） ZHANG X（49） WANG L（47）
WANG J（46） LIU X（44） WANG Z（44）
公开年 2017（938） 2016（934） 2018（187） 2019（2） 2020（2）
申请年 2016（2065）
专利权人 XIAO L（52） CHENGDU NEW .（25） SAMSUNG ELEC.（25） UNIV ZHEJIAN.（25）
NANOTEK INST.（21） UNIV CENT SO.（20） UNIV JINAN（19） UNIV CHINA E.（18）
UNIV SHANGHA.（18） INST MICROEL.（16） ZHONG L（16） STATE GRID C.（15）
UNIV SHAANXI.（15） UNIV SHANGHA.（15） UNIV TIANJIN（15） UNIV ANHUI N.（14）
UNIV SHANDON.（14） CHINESE ACAD.（13） SHANGHAI INS.（13） UNIV CHINA J.（13）

Metal oxide semiconductor field effect transistor, has composite gate dielectric layer passivated with fluorine above graphene layer, and metal gate located above composite gate dielectric layer.

SEO H C, MOON J

Method for manufacturing supercapacitor comprising two supercapacitor cells, involves aligning two supercapacitor cells with matching pads provided on two supercapacitor cells, providing solder between matching pads, and interconnecting two supercapacitor cells with polyvinyl alcohol gel curing.

HAMZAH A A, MAJLIS B Y, ABIDIN H E Z, MOHAMED M A

Method for converting single wall carbon nanotubes into graphene sheets, involves etching latent defects in single wall carbon nanotubes with provided plasma and splitting carbon nanotubes in longitudinal direction resulting in sheets.

EGERTON E J, SOOD A K

Preparing three-dimensional graphene for composite electrode material in electrochemical energy storage device, involves removing non-graphene components through selective physical and chemical reactions of materials containing graphene.

CHU X

Fabricating graphene nanoribbon array for graphene nanotransistor grid manufacture by selectively seeding growth of graphene flakes on substrate, masking flake edges with insulator, etching, removing insulator, and etching electrode.

LERNER M B

Use of tin(IV) oxide/carbon/vanadium(V) oxide/graphene composite nanomaterial as lithium ion battery negative electrode material.

YE C

Method for preparing graphene electrode material, involves weighing graphene and polyacrylamide, adding graphene to concentrated sulfuric acid, adding graphene oxide-based material to dimethyl carbonate and injecting sprayed material.

INVENTOR U

Cable terminal, has porcelain sleeve provided with wiring terminal, and copper alloy located between wiring terminal and insulating wire core, where alloy is comprises specific percentage of graphene, molybdenum disulfide and carbon fiber.

SHI C

Method for preparing graphene electrode material, involves weighing graphene, carbon nitride and polycaprolactone, adding graphene to concentrated sulfuric acid and placing graphene oxide material and stirring mixture.

INVENTOR U

Preparation of graphene/palladium nanocatalyst used in direct alcohol fuel cell, involves mixing mixture of phosphotungstic acid and isopropanol with graphene oxide solution, and mixing with chloropalladic acid solution.

LIU Z, ZHAO B, HU J